LCR表在半導(dǎo)體分立器件 C-V 特性測(cè)試方案
方案特點(diǎn)
包含C-V（電容-電壓），C-T（電容-時(shí)間），C-F（電容-頻率）等多項(xiàng)測(cè)試測(cè)試功能，C-V測(cè)試最多同時(shí)支持測(cè)試四條不同頻率下的曲線。
測(cè)試和計(jì)算過程由軟件自動(dòng)執(zhí)行，能夠顯示數(shù)據(jù)和曲線，節(jié)省時(shí)間。
提供外置直流偏壓盒，最高偏壓支持到正負(fù)200V，頻率范圍100Hz-1MHz。
支持使用吉時(shí)利24XX/26XX系列源表提供偏壓。
測(cè)試功能
電壓-電容掃描測(cè)試
頻率-電容掃描測(cè)試
電容-時(shí)間掃描測(cè)試
MOS器件二氧化硅層厚度、襯底摻雜濃度等參數(shù)的計(jì)算
原始數(shù)據(jù)圖形化顯示和保存
MOS電容的C-V特性測(cè)試方案
系統(tǒng)結(jié)構(gòu)
系統(tǒng)主要由源表、LCR表、探針臺(tái)和上位機(jī)軟件組成。LCR表支持的測(cè)量頻率范圍在0.1Hz~30MHz。源表(SMU)負(fù)責(zé)提供可調(diào)直流電壓偏置，通過偏置夾具盒CT8001加載在待測(cè)件上。
LCR表測(cè)試交流阻抗的方式是在HCUR端輸出交流電流，在LCUR端測(cè)試電流，同時(shí)在HPOT和LPOT端測(cè)量電壓值。電壓和電流通過鎖相環(huán)路同步測(cè)量，可以精確地得到兩者之間的幅度和相位信息，繼而可以推算出交流阻抗參數(shù)。
LCR表與待測(cè)件連接圖
CV特性曲線測(cè)試結(jié)果
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