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　　憶阻器是一種具有電荷記憶功能的非線性電阻，通過控制電流的變化可改變其阻值，自從2008年HP公司制備出了憶阻器，科學家們意識到憶阻器的優(yōu)勢和作用，所以現(xiàn)在也有很多院所開始進行憶阻器的研究

　　憶阻器研究分為基礎性能研究測試，神經(jīng)突觸/神經(jīng)元測試以及陣列測試，今天主要介紹一下基礎研究測試

　　基礎研究分為四步，分別是Forming前后特性驗證、直流特性測試、交流特性測試、脈沖特性測試

　　憶阻器直流特性測試通常與Forming結合，主要測試憶阻器直流V-I曲線，并以此推算SET/RESET電壓/電流、HRS、LRS等憶阻器重要參數(shù)，可以進行單向掃描或雙向掃描。

　　憶阻器交流特性主要進行捏滯回線的測試，捏滯回線是鑒別憶阻器類型的關鍵

　　憶阻器脈沖測試能有效地減小直流測試積累的焦耳熱的影響，同時，也可以用來研究熱量對器件性能的影響。由于憶阻器表征技術正向極端化發(fā)展，皮秒級脈沖擦寫及信號捕捉的需求日益強烈。

　　如果要進行基礎測試需要的儀器有：信號發(fā)生器，源表，電源以及示波器