憶阻器測(cè)試方案
問題：客戶做憶阻器相關(guān)測(cè)試，需要搭配一套方案滿足測(cè)試需求
問題分析:
憶阻器測(cè)試流程熟悉：
作為存儲(chǔ)器，憶阻器同樣有“置0”和“置1”及讀操作，只不過“置0”被稱為“RESET”，即從低阻態(tài)(LRS)重置為高阻態(tài)(HRS)，反之被稱為SET，即“置1”操作。
但憶阻器在進(jìn)行讀寫操作之前，需要做一次“Forming”，這個(gè)激發(fā)操作之后,憶阻器件才具有正常的憶阻特性。在各個(gè)操作階段，都需要對(duì)憶阻器特性進(jìn)行表征，測(cè)試流程如下:
Forming前后特性驗(yàn)證。驗(yàn)證Forming前后的電阻。通常沒有特殊的測(cè)試步驟，一般與憶阻器單元IV特性測(cè)試結(jié)合在一起。
憶阻器單元IV特性測(cè)試(通常與Forming結(jié)合)。測(cè)試SET/RESET,HRS/LRS IV特性,憶阻器單元的基本測(cè)試
高速脈沖測(cè)試。用更窄脈寬的讀/寫脈沖序列進(jìn)行讀寫測(cè)試，憶阻器單元的速度極限能力測(cè)試
數(shù)據(jù)保留測(cè)試(Data retention)。數(shù)據(jù)保存后，在不同的環(huán)境下持續(xù)讀出，測(cè)試憶阻器單元保存數(shù)據(jù)的持久力
循環(huán)次數(shù)測(cè)試(Endurance)。高頻率寫，持續(xù)讀，驗(yàn)證憶阻器單元的耐受力
在憶阻器初級(jí)研發(fā)階段，F(xiàn)orming及IV特性測(cè)試為基本測(cè)試，高速脈沖測(cè)試驗(yàn)證憶阻器的極限功能。在后續(xù)更深入的研究情況下，就根據(jù)測(cè)試需要進(jìn)行調(diào)整。
客戶問題分析：
需要進(jìn)行IV特性測(cè)試，高速脈沖測(cè)試
如何解決：
根據(jù)不同測(cè)試項(xiàng)目搭配方案，最好能夠一套方案滿足測(cè)試需求：
通用配置一：（示例：半導(dǎo)體參數(shù)分析儀Fspro+探針臺(tái)）
配備源表模塊和脈沖測(cè)試模塊，一套設(shè)備實(shí)現(xiàn)客戶測(cè)試需求
通用配置二：（示例：半導(dǎo)體參數(shù)分析儀4200+探針臺(tái)）
配備源表模塊和脈沖測(cè)試模塊，一套設(shè)備實(shí)現(xiàn)客戶測(cè)試需求
當(dāng)然了還有低成本方案：
26xx系列SMU,同時(shí)需有脈沖功能+簡(jiǎn)易探針
?。ㄖ饕轻槍?duì)于IV測(cè)試）：
?。ㄖ饕槍?duì)脈沖測(cè)試）：
?。ˋWG示意圖）
?。ˋFG示意圖）
相應(yīng)方案（摘自泰克數(shù)據(jù)表格）
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