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　　MEMS(微機(jī)電系統(tǒng)]是一種基于CMOS工藝的集成技術(shù)。它將傳感器/微處理器/信號(hào)處理與控制集于一體，有效縮小了系統(tǒng)的體積，是一種先進(jìn)的加工技術(shù)。

　　MEMS測(cè)試難點(diǎn):

　　1.泄露電流是MEMS的必測(cè)項(xiàng)目。泄漏電流是指MENS在非工作狀態(tài)時(shí)的電流值，其值大小將決定系統(tǒng)能耗的大小。MEMS系統(tǒng)的泄漏電流一般都小至pA量級(jí)，因此在測(cè)試泄漏電流時(shí)，需要帶前量放大器的高精度的源表設(shè)備。

　　2.電容是MEMS的必測(cè)項(xiàng)。電容式微傳感器是MEMS系統(tǒng)中常用的傳感器，它負(fù)責(zé)接收外界的信號(hào)并轉(zhuǎn)換為電學(xué)信號(hào)。這個(gè)電容值很小，一般為pF量級(jí)。測(cè)試設(shè)備所能施加的交流頻率和電容測(cè)量的精度是需要考慮的因素。

　　3.電阻是MEMS的必測(cè)項(xiàng)。電阻式傳感器在MEMS系統(tǒng)中非常常見(jiàn)其阻值的變化可以表征外界信號(hào)的變化。MEMS系統(tǒng)中的電陽(yáng)范圍較大，因此測(cè)試設(shè)備的電壓電流動(dòng)態(tài)范圍也必須足夠大。

　　4.MEMES工藝監(jiān)控也是MEMS測(cè)試的重要內(nèi)容。MEMS使用CMOS工藝進(jìn)行加工制造，為使系統(tǒng)性能穩(wěn)定，各步驟工藝必須嚴(yán)格監(jiān)測(cè)。比如載流子濃度，載流子遷移率都能都是需要監(jiān)測(cè)的參數(shù)。這需要使用能進(jìn)行此類測(cè)試的電學(xué)設(shè)備。

　　測(cè)試方案:

　　測(cè)試設(shè)備:4200A-SCS，SMU模塊+CVU模塊，TH2851阻抗分析儀

　　測(cè)試載臺(tái):高功率探針臺(tái)/測(cè)試夾具

　　TH2851系列阻抗分析儀也徹底超越了國(guó)外同類儀器120MHz的頻率瓶頸；解決了國(guó)外同類儀器只能分析、無(wú)法單獨(dú)測(cè)試的缺陷；中英文操作界面也解決了國(guó)外儀器僅有英文界面的尷尬；采用單測(cè)和分析兩種界面，讓測(cè)試更簡(jiǎn)單。