不同材料之間的區(qū)別是什么呢？必然是它的導(dǎo)電特性了，根據(jù)這一特性，材料分為了導(dǎo)體、半導(dǎo)體和絕緣體。

　　目前非常熱門(mén)的納米材料的研究就屬于半導(dǎo)體材料的研究，納米材料又分為零維材料、一維材料、二維材料、三位材料等。零維材料就是量子點(diǎn)、納米粉末、納米顆粒等材料；一維材料是納米線(xiàn)、納米管等；二維材料是納米薄膜、石墨烯等；三維材料是納米固體材料。

　　薄膜材料電阻率和霍爾遷移率測(cè)試就是基于二維材料的薄膜和石墨烯等材料形成的樣品做測(cè)試。

　　石墨烯(Graphene)由碳原子以sp2雜化軌道組成六角型呈蜂巢晶格的平面薄膜，只有一個(gè)碳原子厚度的二維材料。厚度僅有0.335納米，是構(gòu)建其他維數(shù)碳質(zhì)材料的基本單元。具有以下特點(diǎn)：

　　特點(diǎn)1:柔性，適合做可穿戴柔性電子設(shè)備;

　　特點(diǎn)2:導(dǎo)電性強(qiáng)，載流子遷移率為Si的10倍，工作速度快，功耗低

　　特點(diǎn)3:易改性。

　　什么是電阻率？一種材料的電阻率表征的是阻礙電流流過(guò)的能力的大小，其單位為Ω·m/Q·cm。如果電流很容易在某種材料中流過(guò)，那么該材料有較低的電阻率;如果電流很難流過(guò)某種材料，那么該材料有較高的電阻率電阻率為材料的本質(zhì)物理屬性，與大小和形狀無(wú)關(guān)。

　　比如石墨烯的電阻率是10的-8次方Ωm，要測(cè)試其電阻率有一下幾種方式：

　　一、兩探針?lè)y(cè)試塊狀材料電阻率

　　二、四線(xiàn)法測(cè)試塊狀材料電阻率

　　三、Van der Pauw電阻率測(cè)試

　　四探針技術(shù)要求樣品為薄膜樣品或塊狀，范德堡法為更通用的四探針測(cè)量技術(shù),對(duì)樣品形狀沒(méi)有要求，且不需要測(cè)量樣品所有尺寸，但需滿(mǎn)足以下四個(gè)條件：

　　1.樣品必須具有均勻厚度的扁平形狀。

　　2.樣品不能有任何隔離的孔。

　　3.樣品必須是均質(zhì)和各向同性的。

　　4.所有四個(gè)觸點(diǎn)必須位于樣品的邊緣。

　　什么是霍爾遷移率？為什么要測(cè)試霍爾遷移率？霍爾系數(shù)是半導(dǎo)體材料在磁場(chǎng)中電流行為的重要表征。通過(guò)測(cè)試霍爾系數(shù)，我們可以確定半導(dǎo)體材料中的載流子類(lèi)型(電子或空穴),進(jìn)而分析材料的導(dǎo)電機(jī)制?；魻栂禂?shù)的準(zhǔn)確測(cè)量有助于我們深入理解材料的電學(xué)特性，為器件設(shè)計(jì)提供理論支持。

　　載流子濃度反映了半導(dǎo)體材料中參與導(dǎo)電的粒子數(shù)量。通過(guò)測(cè)試載流子濃度，我們可以評(píng)估材料的導(dǎo)電能力，并據(jù)此優(yōu)化器件的電流承載能力和功耗。載流子濃度的變化還可能影響材料的能帶結(jié)構(gòu)和電學(xué)性能，因此對(duì)其進(jìn)行測(cè)試有助于我們?nèi)媪私獠牧系男阅芴攸c(diǎn)。

　　載流子遷移率表示了載流子在電場(chǎng)作用下的移動(dòng)速度。高遷移率意味著材料中的載流子能夠更快地響應(yīng)外部電場(chǎng)的變化，從而提高器件的響應(yīng)速度和性能。因此，測(cè)試載流子遷移率對(duì)于優(yōu)化半導(dǎo)體器件的動(dòng)態(tài)性能具有重要意義。

　　霍爾遷移率測(cè)試方法：